Infineon BSM150GB120DN2
Артикул: C534477
Part Number: BSM150GB120DN2
Производитель: Infineon
от 151.874400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 414.201000 ₽ |
| 200 шт. | 160.290900 ₽ |
| 500 шт. | 154.657300 ₽ |
| 1000 шт. | 151.874400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 210A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 1.6nF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 600pF |
| Время задержки включения Td(on) | 400ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 800ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.25kW 210A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы