Infineon BSB104N08NP3 G
Артикул: C534270
Part Number: BSB104N08NP3 G
Производитель: Infineon
от 0.634200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.726600 ₽ |
| 200 шт. | 0.669100 ₽ |
| 500 шт. | 0.645300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.634200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 27pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 430pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
42W 80V 50A 3.5V 10.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный MG-DSON-2(4.9x6.3)mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS