P-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5342417
Part Number: TPM3080PK3-3
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.154900 ₽
В наличии: 300 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.164200 ₽ |
| 50 шт. | 0.160300 ₽ |
| 150 шт. | 0.157600 ₽ |
| 500 шт. | 0.154900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 88nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.887nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 372pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 432pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
83W 30V 80A 3V 6.7mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)