P-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5342409
Part Number: TPM3030PK3
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.094700 ₽
В наличии: 395 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.100400 ₽ |
| 50 шт. | 0.098000 ₽ |
| 150 шт. | 0.096300 ₽ |
| 500 шт. | 0.094700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 27mΩ@10V;38mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 180pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 220pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
50W 30V 30A 1V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)