Infineon IMBG120R220M1HXTMA1
Артикул: C5342192
Part Number: IMBG120R220M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 3.234600 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.286700 ₽ |
| 10 шт. | 4.495600 ₽ |
| 30 шт. | 4.027200 ₽ |
| 100 шт. | 3.552300 ₽ |
| 500 шт. | 3.332800 ₽ |
| 1000 шт. | 3.234600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 220mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 9.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 312pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 14pF |
Описание
1.2kV 13A 4.5V 83W 220mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS