Infineon FP50R12KT3
Артикул: C534046
Part Number: FP50R12KT3
Производитель: Infineon
от 64.346100 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 67.886500 ₽ |
| 30 шт. | 64.346100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 280W;210W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A;75A;40A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V;1.9V;- |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 470nC;330nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF;- |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 90pF;- |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 90ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 420ns;520ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.9mJ;6.6mJ;4.1mJ;6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4mJ;4.9mJ;3.1mJ;3.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.2kV IGBT модуль монтаж в отверстия модули IGBT RoHS