Infineon FP35R12W2T4P_B11
Артикул: C534033
Part Number: FP35R12W2T4P_B11
Производитель: Infineon
от 40.825200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 111.338400 ₽ |
| 198 шт. | 43.086400 ₽ |
| 504 шт. | 41.572600 ₽ |
| 1008 шт. | 40.825200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 270pC |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 70pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 240ns;295ns;310ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
35A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS