Infineon FP35R12W2T4P
Артикул: C534032
Part Number: FP35R12W2T4P
Производитель: Infineon
от 43.140000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 117.652600 ₽ |
| 200 шт. | 45.530900 ₽ |
| 500 шт. | 43.930300 ₽ |
| 1000 шт. | 43.140000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.15V;2.25V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 270pC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 70pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 240ns;295ns;310ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.9mJ;2.9mJ;3.15mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2mJ;2.9mJ;3.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
35A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS