IGBT-модуль, траншейный/С ограничением электрического поля IGBT3, С управлением эмиттером 3 диод, NTC
Артикул: C534021
Part Number: FP30R06W1E3
Производитель: Infineon
от 47.447200 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 48.958100 ₽ |
| 24 шт. | 47.447200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 37A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@30A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.9V@0.30mA |
| Заряд затвора (Qg) | 300nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.65nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 51pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 140ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 500uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
115W 37A 600V FS (ограничение поля) монтаж в отверстия,62.8x33.8mm модули IGBT RoHS