Infineon FP25R12W2T4P_B11
Артикул: C534018
Part Number: FP25R12W2T4P_B11
Производитель: Infineon
от 37.329700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 101.804300 ₽ |
| 198 шт. | 39.397600 ₽ |
| 504 шт. | 38.012800 ₽ |
| 1008 шт. | 37.329700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 25A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.15V;2.25V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 200pC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.45nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns;280ns;300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.6mJ;2.4mJ;2.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.45mJ;2.15mJ;2.35mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
25A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS