Infineon FP10R12W1T7_B3
Артикул: C533971
Part Number: FP10R12W1T7_B3
Производитель: Infineon
от 3.647300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.946200 ₽ |
| 200 шт. | 3.849500 ₽ |
| 500 шт. | 3.715200 ₽ |
| 1000 шт. | 3.647300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V;1.74V;1.82V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 157nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.89nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 6.6pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns;25ns;26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 150ns;250ns;305ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 730uJ;940uJ;1.13mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.25mJ;1.62mJ;1.87mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
10A 1.2kV IGBT модуль модули IGBT RoHS