Полностью со встроенной защитой мощность MOSFET
Артикул: C5339302
Part Number: VND7NV04-E
Производитель: ST
от 1.046300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.078800 ₽ |
| 10 шт. | 1.064200 ₽ |
| 30 шт. | 1.054400 ₽ |
| 100 шт. | 1.046300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 60mΩ@5V |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 220pF |
Описание
40V 2.5V 60W 60mΩ@5V 1 N-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)