NPN кремний дарлингтона транзисторы

NPN кремний дарлингтона транзисторы

Артикул: C533917 Part Number: BCV 27 E6327 Производитель: Infineon
от 0.482600 ₽ В наличии: 20 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.498800 ₽
10 шт. 0.492300 ₽
30 шт. 0.487400 ₽
100 шт. 0.482600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 360mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 4000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 170MHz

Описание

30V 4000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS