Infineon BCR 35PN H6327
Артикул: C533879
Part Number: BCR 35PN H6327
Производитель: Infineon
от 0.178000 ₽
В наличии: 240 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.184700 ₽ |
| 50 шт. | 0.181800 ₽ |
| 150 шт. | 0.179900 ₽ |
| 500 шт. | 0.178000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 500mV@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
70 250mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS