Infineon BCR 183S H6433
Артикул: C533859
Part Number: BCR 183S H6433
Производитель: Infineon
от 0.035100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.095600 ₽ |
| 200 шт. | 0.037000 ₽ |
| 500 шт. | 0.035700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.035100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.8V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
30 250mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS