Infineon BCR 112W H6327
Артикул: C533814
Part Number: BCR 112W H6327
Производитель: Infineon
от 0.019600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.053300 ₽ |
| 200 шт. | 0.020600 ₽ |
| 500 шт. | 0.019900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.019600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.3V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 140MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 20 100mA 250mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-323-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения