50 V, 100 mA NPN резистор-оснащённый транзистор

50 V, 100 mA NPN резистор-оснащённый транзистор

Артикул: C5336794 Part Number: PDTC114ET-QR Производитель: Nexperia
от 0.038500 ₽ В наличии: 2910 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.081100 ₽
50 шт. 0.063700 ₽
150 шт. 0.055000 ₽
500 шт. 0.048500 ₽
3000 шт. 0.041100 ₽
6000 шт. 0.038500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Тип NPN
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 250mW
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Рабочая температура -65℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V@10mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@100uA,5V
Соотношение сопротивлений резисторов 1

Описание

50V 30 100mA 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN 250mW SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS