Транзистор предварительное смещение NPN 50V SC-70
Артикул: C5336609
Part Number: DTC114YU3HZGT106
Производитель: ROHM
от 0.401300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.633700 ₽ |
| 10 шт. | 0.534600 ₽ |
| 30 шт. | 0.492300 ₽ |
| 100 шт. | 0.438700 ₽ |
| 500 шт. | 0.416000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.401300 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SC-70