VISHAY SISS12DN-T1-GE3
Артикул: C5334400
Part Number: SISS12DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 3.722100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.351600 ₽ |
| 10 шт. | 4.774800 ₽ |
| 30 шт. | 4.432000 ₽ |
| 100 шт. | 3.954400 ₽ |
| 500 шт. | 3.795200 ₽ |
| 1000 шт. | 3.722100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 37.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.98mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 28.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.27nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 90pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 680pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
5W 40V 37.5A 2.4V 1.98mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS