VISHAY SISS26DN-T1-GE3
Артикул: C5334353
Part Number: SISS26DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.852100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.662800 ₽ |
| 10 шт. | 2.380100 ₽ |
| 30 шт. | 2.204700 ₽ |
| 100 шт. | 1.969100 ₽ |
| 500 шт. | 1.886200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.852100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 23.3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 57W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@7.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 15.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.71nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 37pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 445pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
57W 60V 23.3A 3.6V 4.5mΩ@7.5V 1 N-канальный N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS