JSMSEMI SI1555DL-T1-GE3-JSM
Артикул: C53337917
Part Number: SI1555DL-T1-GE3-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.074200 ₽
В наличии: 2745 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.137800 ₽ |
| 50 шт. | 0.110500 ₽ |
| 150 шт. | 0.096800 ₽ |
| 500 шт. | 0.086500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.078300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.074200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 700mA;600mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 113pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
300mW 20V 1.1V 180mΩ@4.5V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SOT-363 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS