HEXFET мощность MOSFET
Артикул: C533305
Part Number: AUIRFB8409
Производитель: Infineon
от 8.688200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.079600 ₽ |
| 10 шт. | 10.480200 ₽ |
| 30 шт. | 9.505000 ₽ |
| 100 шт. | 8.688200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 409A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.97mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 300nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.24nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.46nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.13nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
375W 40V 409A 2.2V 0.97mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS