Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65SDM1P7
Артикул: C53327203
Part Number: SGT50T65SDM1P7
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 1.475200 ₽
В наличии: 39 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.196500 ₽ |
| 10 шт. | 1.926900 ₽ |
| 30 шт. | 1.759500 ₽ |
| 100 шт. | 1.585700 ₽ |
| 600 шт. | 1.507700 ₽ |
| 1200 шт. | 1.475200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 200uA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 123nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.723nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Время задержки включения Td(on) | 37ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 125ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 37.5ns |
Описание
416W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы