Infineon AIKW50N65DH5
Артикул: C533180
Part Number: AIKW50N65DH5
Производитель: Infineon
от 3.433700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.360900 ₽ |
| 240 шт. | 3.623400 ₽ |
| 480 шт. | 3.495400 ₽ |
| 960 шт. | 3.433700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W;136W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A;53.5A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V |
| Заряд затвора (Qg) | 116nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.05nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 69pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 173ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 450uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 58ns |
Описание
650V TO-247-3-41 одиночные IGBT-транзисторы RoHS