Infineon AIKW50N65DF5
Артикул: C533179
Part Number: AIKW50N65DF5
Производитель: Infineon
от 7.437000 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.748300 ₽ |
| 10 шт. | 7.613900 ₽ |
| 30 шт. | 7.525500 ₽ |
| 100 шт. | 7.437000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W;136W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A;53.5A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V |
| Заряд затвора (Qg) | 108nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 65pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 156ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 490uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 140uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 77ns |
Описание
650V TO-247-3-41 одиночные IGBT-транзисторы RoHS