Infineon AIKW40N65DH5
Артикул: C533177
Part Number: AIKW40N65DH5
Производитель: Infineon
от 3.280600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.947800 ₽ |
| 240 шт. | 3.462700 ₽ |
| 480 шт. | 3.340800 ₽ |
| 960 шт. | 3.280600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W;125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 74A;46A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V;1.85V;2.05V |
| Заряд затвора (Qg) | 92nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 43pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns;18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 153ns;161ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 380uJ;80uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 120uJ;40uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 75ns;37ns |
Описание
650V TO-247-3-41 одиночные IGBT-транзисторы RoHS