Infineon AIKW40N65DF5
Артикул: C533176
Part Number: AIKW40N65DF5
Производитель: Infineon
от 9.824100 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.233600 ₽ |
| 10 шт. | 10.058100 ₽ |
| 30 шт. | 9.941100 ₽ |
| 100 шт. | 9.824100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W;125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 74A;46A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 95nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns;18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 165ns;175ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 350uJ;70uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ;30uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 73ns;31ns |
Описание
650V TO-247-3-41 одиночные IGBT-транзисторы RoHS