Infineon AIHD10N60RF
Артикул: C533159
Part Number: AIHD10N60RF
Производитель: Infineon
от 0.932300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.539100 ₽ |
| 200 шт. | 0.983200 ₽ |
| 500 шт. | 0.949300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.932300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 64nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 655pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 37pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 168ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 190uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 72ns |
Описание
150W 10A 600V TO-252-3-313 одиночные IGBT-транзисторы