Infineon AIHD10N60R
Артикул: C533158
Part Number: AIHD10N60R
Производитель: Infineon
от 0.906100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.468100 ₽ |
| 200 шт. | 0.955500 ₽ |
| 500 шт. | 0.923000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.906100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 64nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 655pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 37pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Время задержки включения Td(on) | 14ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 192ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 210uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 380uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 62ns |
Описание
150W 20A 600V TO-252-3-313 одиночные IGBT-транзисторы