Infineon AIHD04N60RF
Артикул: C533155
Part Number: AIHD04N60RF
Производитель: Infineon
от 0.625200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.705600 ₽ |
| 200 шт. | 0.660700 ₽ |
| 500 шт. | 0.637500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.625200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 4A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 305pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 18pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 116ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 60uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 50uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 34ns |
Описание
75W 4A 600V TO-252-3-313 одиночные IGBT-транзисторы