Infineon AIGW50N65H5
Артикул: C533153
Part Number: AIGW50N65H5
Производитель: Infineon
от 2.731000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.447200 ₽ |
| 240 шт. | 2.882300 ₽ |
| 480 шт. | 2.780400 ₽ |
| 960 шт. | 2.731000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 53.5A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 116nC@50A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@500uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 54pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 173ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 450uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
270W 53.5A 650V TO-247-3-41 одиночные IGBT-транзисторы RoHS