DOINGTER DB5R5N2G
Артикул: C53281940
Part Number: DB5R5N2G
Производитель: DOINGTER
от 0.052900 ₽
В наличии: 2510 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.096600 ₽ |
| 50 шт. | 0.077800 ₽ |
| 150 шт. | 0.068400 ₽ |
| 500 шт. | 0.061400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.055800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.052900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.2Ω@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.862nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 224pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 267pF |
Описание
20V 60A 700mV 33W 4.2Ω@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)