HXY MOSFET IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
Артикул: C53263398
Part Number: IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.985400 ₽
В наличии: 48 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.659100 ₽ |
| 10 шт. | 1.396100 ₽ |
| 30 шт. | 1.253300 ₽ |
| 100 шт. | 1.089300 ₽ |
| 500 шт. | 1.017900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.985400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 219A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 114W |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.461nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 196pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3.257nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
114W 40V 219A 2.3V 1.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)