HXY MOSFET SI2372DS-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263378
Part Number: SI2372DS-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.025900 ₽
В наличии: 330 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.047300 ₽ |
| 100 шт. | 0.038100 ₽ |
| 300 шт. | 0.033500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.030100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.027300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.025900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 420pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 53pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1W 30V 5.8A 1.5V 22mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)