HXY MOSFET AOD518
Артикул: C53263342
Part Number: AOD518
Производитель: HXY MOSFET
от 0.170700 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.303800 ₽ |
| 50 шт. | 0.247000 ₽ |
| 150 шт. | 0.222700 ₽ |
| 500 шт. | 0.192300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.178800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.170700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 53W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.295nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 210pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 267pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
53W 30V 100A 1.5V 3.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)