HXY MOSFET SI4384DY-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263324
Part Number: SI4384DY-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.051600 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.095900 ₽ |
| 50 шт. | 0.076800 ₽ |
| 150 шт. | 0.067300 ₽ |
| 500 шт. | 0.060200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.054500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.051600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 983pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 109pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 147pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
15W 30V 15A 1.4V 8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)