HXY MOSFET DMG8880LK3-13-HXY
Артикул: C53263323
Part Number: DMG8880LK3-13-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.180200 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.357100 ₽ |
| 50 шт. | 0.281600 ₽ |
| 150 шт. | 0.249300 ₽ |
| 500 шт. | 0.208900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.191000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.180200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 54W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.1nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.16nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 180pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 200pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
54W 30V 80A 1.6V 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)