HXY MOSFET SIS456DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263318
Part Number: SIS456DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.263000 ₽
В наличии: 41 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.493500 ₽ |
| 10 шт. | 0.396100 ₽ |
| 30 шт. | 0.353900 ₽ |
| 100 шт. | 0.302000 ₽ |
| 500 шт. | 0.277600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.263000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.075nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 315pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 400pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
62.5W 30V 60A 2.5V 4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)