HXY MOSFET SI7806ADN-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263234
Part Number: SI7806ADN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.200000 ₽
В наличии: 98 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.388800 ₽ |
| 10 шт. | 0.307800 ₽ |
| 30 шт. | 0.274500 ₽ |
| 100 шт. | 0.230100 ₽ |
| 500 шт. | 0.211100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.200000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.2nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 572pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 65pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 81pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
20W 30V 30A 2.5V 8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)