HXY MOSFET SIS444DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263211
Part Number: SIS444DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.290600 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.543900 ₽ |
| 10 шт. | 0.435100 ₽ |
| 30 шт. | 0.389600 ₽ |
| 100 шт. | 0.331200 ₽ |
| 500 шт. | 0.305200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.290600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 69nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.499nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 430pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 499pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
31.7W 30V 100A 1.6V 2.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)