HXY MOSFET DMN39M1LFVWQ-7-HXY
Артикул: C53263196
Part Number: DMN39M1LFVWQ-7-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.315000 ₽
В наличии: 97 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.589300 ₽ |
| 10 шт. | 0.470800 ₽ |
| 30 шт. | 0.422100 ₽ |
| 100 шт. | 0.358800 ₽ |
| 500 шт. | 0.331200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.315000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 90A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 46W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.088nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 209pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 277pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
46W 30V 90A 1.6V 3.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)