HXY MOSFET DMN3032LQ-7-HXY
Артикул: C53263160
Part Number: DMN3032LQ-7-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.078900 ₽
В наличии: 190 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.144200 ₽ |
| 50 шт. | 0.116100 ₽ |
| 150 шт. | 0.102100 ₽ |
| 500 шт. | 0.091600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.083200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.078900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 420pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 53pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1W 30V 5.8A 1.5V 22mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)