HXY MOSFET NVD4C05NT4G-HXY
Артикул: C53263133
Part Number: NVD4C05NT4G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.876600 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.478900 ₽ |
| 10 шт. | 1.245100 ₽ |
| 30 шт. | 1.116900 ₽ |
| 100 шт. | 0.970800 ₽ |
| 500 шт. | 0.905900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.876600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.485nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 85pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 850pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
62.5W 30V 120A 1.7V 3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)