HXY MOSFET IPD50N03S207ATMA1-HXY
Артикул: C53263110
Part Number: IPD50N03S207ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.008100 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.699700 ₽ |
| 10 шт. | 1.431800 ₽ |
| 30 шт. | 1.284100 ₽ |
| 100 шт. | 1.116900 ₽ |
| 500 шт. | 1.042200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.008100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 54W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.1nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.16nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 180pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 200pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
54W 30V 80A 1.6V 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)