HXY MOSFET IPD40N03S4L08ATMA1-HXY
Артикул: C53263101
Part Number: IPD40N03S4L08ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.818200 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.378300 ₽ |
| 10 шт. | 1.160700 ₽ |
| 30 шт. | 1.040600 ₽ |
| 100 шт. | 0.905900 ₽ |
| 500 шт. | 0.845800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.818200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 41W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.317nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 131pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 163pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
41W 30V 60A 1.5V 7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)