HXY MOSFET ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
Артикул: C53263050
Part Number: ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.250000 ₽
В наличии: 59 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.469200 ₽ |
| 10 шт. | 0.376700 ₽ |
| 30 шт. | 0.336100 ₽ |
| 100 шт. | 0.285800 ₽ |
| 500 шт. | 0.264700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.250000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.075nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 315pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 400pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
62.5W 30V 55A 1.5V 4.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)