HXY MOSFET SI7386DP-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263039
Part Number: SI7386DP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.242800 ₽
В наличии: 93 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.474400 ₽ |
| 10 шт. | 0.376100 ₽ |
| 30 шт. | 0.333200 ₽ |
| 100 шт. | 0.280900 ₽ |
| 500 шт. | 0.257100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.242800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 59W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.295nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 210pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 267pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
59W 30V 60A 2.5V 5.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)