HXY MOSFET SQS482EN-T1_BE3-HXY
Артикул: C53263032
Part Number: SQS482EN-T1_BE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.394500 ₽
В наличии: 98 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.704600 ₽ |
| 10 шт. | 0.578000 ₽ |
| 30 шт. | 0.514600 ₽ |
| 100 шт. | 0.451300 ₽ |
| 500 шт. | 0.414000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.394500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 37.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 940pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 109pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 131pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
37.5W 30V 35A 2.5V 7.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)