HXY MOSFET IPD040N03LGATMA1-HXY
Артикул: C53263031
Part Number: IPD040N03LGATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.148900 ₽
В наличии: 180 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.295000 ₽ |
| 50 шт. | 0.232700 ₽ |
| 150 шт. | 0.205900 ₽ |
| 500 шт. | 0.172600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.157800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.148900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.485nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 85pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 850pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
62.5W 30V 120A 1.7V 3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)