HXY MOSFET SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
Артикул: C53263021
Part Number: SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.192900 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.361700 ₽ |
| 50 шт. | 0.289700 ₽ |
| 150 шт. | 0.258800 ₽ |
| 500 шт. | 0.220300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.203200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.192900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 59W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.295nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 210pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 267pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
59W 30V 60A 2.5V 5.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)